Geli\u015fmi\u015f yar\u0131 iletken teknolojisinde d\u00fcnya lideri Samsung Electronics, 10 nanometre (nm) FinFET teknolojili \u00c7ip \u00fczerinde Sistem (SoC) \u00fcr\u00fcnlerinin seri \u00fcretimine ba\u015flad\u0131\u011f\u0131n\u0131 duyurdu. \u015eirketin bu giri\u015fimi sekt\u00f6rde bir ilki temsil ediyor.<\/p>\n
Ocak 2015’te sekt\u00f6r\u00fcn ilk FinFET mobil uygulama i\u015flemcisinin (AP) ba\u015far\u0131l\u0131 seri \u00fcretiminin ard\u0131ndan Samsung, piyasaya en ileri i\u015flemci teknolojisini sunarak bu alandaki liderli\u011fini devam ettiriyor.<\/p>\n
Y\u00fczde 27 daha y\u00fcksek performans<\/strong><\/p>\n Samsung’un yeni 10 nm FinFET i\u015flemcisi (10LPE), bir \u00f6nceki 14 nm nesline k\u0131yasla hem i\u015flem teknolojisinde hem tasar\u0131mda ek iyile\u015ftirmelere sahip geli\u015fmi\u015f bir 3D transist\u00f6r yap\u0131s\u0131n\u0131 benimsiyor. Bu transist\u00f6r yap\u0131s\u0131, y\u00fczde 27 daha y\u00fcksek performans, y\u00fczde 40 daha az enerji t\u00fcketimi ve alan verimlili\u011finde y\u00fczde 30’a kadar art\u0131\u015fa imkan veriyor. \u00d6l\u00e7eklendirme k\u0131s\u0131tlamalar\u0131n\u0131 a\u015fmak ad\u0131na, \u00f6nceki d\u00fc\u011f\u00fcmlerin tasar\u0131m ve y\u00f6nlendirme esnekli\u011fini korumak i\u00e7in \u00e7ift y\u00f6nl\u00fc y\u00f6nlendirmeye olanak tan\u0131yan \u00fc\u00e7l\u00fc \u00f6r\u00fcnt\u00fc gibi geli\u015fmi\u015f teknolojiler de kullan\u0131l\u0131yor.<\/p>\n Samsung ilk 10 nm i\u015flemci (10LPE) neslinin ard\u0131ndan, performans art\u0131\u015fl\u0131 ikinci nesil i\u015flemcinin (10LPP) seri \u00fcretimine 2017’nin ikinci yar\u0131s\u0131nda ba\u015flamay\u0131 hedefliyor.<\/p>\n Samsung, m\u00fc\u015fterileri ve ortaklar\u0131 ile yak\u0131n bir i\u015f birli\u011fi kurarak referans ak\u0131\u015f do\u011frulamas\u0131, IP’ler ve ar\u015fivleri i\u00e7eren g\u00fc\u00e7l\u00fc bir 10nm ekosistemi elde etmeyi ama\u00e7l\u0131yor. Bu ama\u00e7la, \u00fcretim seviyesi i\u015flem tasar\u0131m kitleri (PDK) ve IP tasar\u0131m kitleri, ba\u015flayacak tasar\u0131mlar i\u00e7in geli\u015ftiricilere a\u00e7\u0131ld\u0131.<\/p>\n 10nm i\u015flem teknolojisine sahip SoC\u2019lerin, \u00f6n\u00fcm\u00fczdeki y\u0131l\u0131n ba\u015f\u0131nda lansman\u0131 yap\u0131lacak olan dijital cihazlarda kullan\u0131lmas\u0131 ve 2017 boyunca yayg\u0131nla\u015fmas\u0131 bekleniyor.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" Geli\u015fmi\u015f yar\u0131 iletken teknolojisinde d\u00fcnya lideri Samsung Electronics, 10 nanometre (nm) FinFET teknolojili \u00c7ip \u00fczerinde Sistem (SoC) \u00fcr\u00fcnlerinin seri \u00fcretimine ba\u015flad\u0131\u011f\u0131n\u0131 duyurdu. \u015eirketin bu giri\u015fimi sekt\u00f6rde bir ilki temsil ediyor. Ocak 2015’te sekt\u00f6r\u00fcn ilk FinFET mobil uygulama i\u015flemcisinin (AP) ba\u015far\u0131l\u0131 seri \u00fcretiminin ard\u0131ndan Samsung, piyasaya en ileri i\u015flemci teknolojisini sunarak bu alandaki liderli\u011fini devam ettiriyor. Y\u00fczde 27 daha y\u00fcksek performans Samsung’un yeni 10 nm FinFET i\u015flemcisi (10LPE), bir \u00f6nceki 14 nm nesline k\u0131yasla hem i\u015flem teknolojisinde hem tasar\u0131mda ek iyile\u015ftirmelere sahip geli\u015fmi\u015f bir 3D transist\u00f6r yap\u0131s\u0131n\u0131 benimsiyor. Bu transist\u00f6r yap\u0131s\u0131, y\u00fczde 27 daha y\u00fcksek performans, y\u00fczde 40 daha az enerji<\/p>\n","protected":false},"author":3,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[2],"tags":[44,43],"class_list":["post-813","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-donanim","tag-10-nm-mobil-islemci","tag-samsung"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.teknolojidergisi.net\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/813"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.teknolojidergisi.net\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.teknolojidergisi.net\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.teknolojidergisi.net\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/users\/3"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.teknolojidergisi.net\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcomments&post=813"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.teknolojidergisi.net\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/813\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":814,"href":"https:\/\/www.teknolojidergisi.net\/index.php?rest_route=\/wp\/v2\/posts\/813\/revisions\/814"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.teknolojidergisi.net\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fmedia&parent=813"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.teknolojidergisi.net\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Fcategories&post=813"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.teknolojidergisi.net\/index.php?rest_route=%2Fwp%2Fv2%2Ftags&post=813"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}